1.8V Drive Nch MOSFET
RUE003N02
? Structure
Silicon N-channel
MOSFET
? Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
? Dimensions (Unit : mm)
EMT3
(1)Source
(2)Gate
5) Parallel use is easy.
? Applications
Switching
(3)Drain
Abbreviated symbol : QT
? Packaging specifications
? Equivalent circuit
Package
Taping
Drain
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
TL
3000
RUE003N02
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
Gate
? 1
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Source
? 2
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
± 8
Unit
V
V
Drain current
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
± 300
± 600
mA
mA
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
150
150
? 55 to + 150
mW
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
? Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
833
Unit
° C / W
? Each terminal mounted on a recommended land
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2011.05 - Rev.B
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